[发明专利]一种基于ANSYS的MMC子模块压接式IGBT短期失效分析方法有效
| 申请号： | 201911304806.9 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111090940B | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 何智鹏;刘智;侯婷;姬煜轲;李岩;许树楷;马定坤;郭伟力;王来利 | 申请（专利权）人： | 南方电网科学研究院有限责任公司;中国南方电网有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F119/02 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李晓晓 |
| 地址： | 510530 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于ANSYS的MMC子模块压接式IGBT短期失效分析方法，包括以下步骤：步骤一、利用ANSYS的Simplorer得到MMC子模块压接式IGBT在工况下的损耗；步骤二、利用ANSYS的SpaceClaim，进行IGBT模型的建立；步骤三、通过ANSYS的Icepak以及Simplorer对步骤二得到的IGBT模型进行Foster网络的提取；步骤四、将步骤一计算得到的损耗，导入到步骤三提取的Foster网络中，得到IGBT内部各位置的实时温度变化情况。本发明能够抓住短时间尺度下MMC子模块压接式IGBT失效的主要因素，逐步得到工况下IGBT内部温度的精确分布情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 ansys mmc 模块 压接式 igbt 短期 失效 分析 方法 | ||
【主权项】：
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