[发明专利]一种平面型铟镓砷焦平面探测器PIN结的制备方法在审
| 申请号： | 201911304594.4 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111146309A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 朱琴;龚晓霞;杨文运;宋欣波;李徳香;肖婷婷;范明国;杜润来;尚发兰;吕浩;柴圆媛;太云见;黄晖 | 申请（专利权）人： | 云南北方昆物光电科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/105;C23C16/04;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/56 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 周蜜 |
| 地址： | 650223 云南*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种平面型铟镓砷焦平面探测器PIN结的制备方法，属于半导体制备方法技术领域。所述方法在InGaAs焦平面探测器芯片制备过程中完成，在InGaAs材料上第一次外延生长的N型InP层厚度为10nm～30nm；然后生长沉积一层耐高温介质掩膜层；在掩膜层上进行表面图形化，去除不需要的掩膜层，形成二次外延生长区域并氢化处理，在二次外延区域生长一层掺杂Zn的P型InP层，制备得到PIN结。具有所述PIN结的InGaAs焦平面探测器集合了台面型和平面型InGaAs焦平面探测器的优点，方法简单、串音小、光敏元可控、电流小、均匀性高、探测率高并且对人员所处环境要求低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 型铟镓砷焦 探测器 pin 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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