[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 201911298492.6 | 申请日： | 2014-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN111048577B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 郭雨澈;崔承奎;金材宪;郑廷桓;白龙贤;张三硕;洪竖延;郑渼暻 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L33/00;H01L33/24;H01L33/32;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 姜长星;张川绪 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体元件。所述半导体元件包括：第一导电型半导体层，包括第一下导电型半导体层和第一上导电型半导体层；V‑坑，贯通所述第一上导电型半导体层的至少一部分；第二导电型半导体层，位于所述第一导电型半导体层上且填充所述V‑坑，其中，所述第一上导电型半导体层具有比所述第一下导电型半导体层高的缺陷密度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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