[发明专利]氧化镓基半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201911283509.0 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN111129166B | 公开（公告）日： | 2023-02-07 |
| 发明（设计）人： | 龙世兵;周选择;徐光伟;熊文豪;赵晓龙;刘明 | 申请（专利权）人： | 合肥中科微电子创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市中国（安徽）自由贸易试验区合肥市高新区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化镓基半导体结构及其制备方法，该氧化镓基半导体结构包括：氧化镓基外延层，具有多个沟道，该多个沟道形成于该氧化镓基外延层上表面且相互间隔第一距离；多个低势垒肖特基电极，形成于所述多个沟道之间的氧化镓基外延层上表面；以及高势垒肖特基电极，形成于所述氧化镓基外延层上表面，且覆盖所述多个沟道及所述多个低势垒肖特基电极。该氧化镓基半导体结构同时结合了高、低势垒的优势，具有较低的开启电压的同时可以维持较小的反向漏电流的优势，能够保证开态电阻不会有明显增大，甚至会有降低的效果，能够使得双势垒肖特基能够有效应的用于高温领域。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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