[发明专利]一种上拉电路在审

专利信息
申请号: 201911283376.7 申请日: 2019-12-13
公开(公告)号: CN110798202A 公开(公告)日: 2020-02-14
发明(设计)人: 朱恺;周耀;成玉 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175;H03K19/0185
代理公司: 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 刘晓菲
地址: 430205 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 本申请实施例公开了一种上拉电路,包括片内电源、输入输出端口、上拉开关、第一PMOS管、上拉电阻、控制电路,上拉开关的第一端连接片内电源,上拉开关的第二端连接第一PMOS管的源极,第一PMOS管的漏极通过上拉电阻连接输入输出端口,控制电路与第一PMOS管的栅极连接,第一PMOS管的衬底连接高选择电源,高选择电源的输出电压为输入输出端口被施加的电压和片内电源的电压的较大值,控制电路可以控制第一PMOS管在输入输出端口被施加的电压小于片内电源的电压时导通,在输入输出端口被施加的电压大于或等于片内电源的电压时断开。因此,第一PMOS管在断开时,连接第一PMOS管的衬底的高选择电源可以阻止电流从输入输出端口流向片内电源,提高了芯片的安全性。
搜索关键词: 输入输出端口 内电源 控制电路 上拉 电源 上拉电阻 施加 衬底 断开 上拉电路 输出电压 栅极连接 第一端 连接片 导通 漏极 源极 芯片 申请
【主权项】:
1.一种上拉电路,其特征在于,包括:片内电源、输入输出端口、上拉开关、第一PMOS管、上拉电阻、控制电路;/n所述上拉开关的第一端连接所述片内电源,所述上拉开关的第二端连接所述第一PMOS管的源极,所述第一PMOS管的漏极通过所述上拉电阻连接所述输入输出端口;所述控制电路与所述第一PMOS管的栅极连接;所述第一PMOS管的衬底连接高选择电源,所述高选择电源的输出电压为所述输入输出端口被施加的电压和所述片内电源的电压的较大值;/n所述控制电路,用于控制所述第一PMOS管在所述输入输出端口被施加的电压小于所述片内电源的电压时导通,在所述输入输出端口被施加的电压大于或等于所述片内电源的电压时断开。/n
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