[发明专利]晶体生长装置及方法在审
| 申请号： | 201911282500.8 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN111020689A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 李超;朱刘;狄聚青;李镇宏 | 申请（专利权）人： | 广东先导先进材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B31/04;C30B29/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 511517 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出一种晶体生长装置，该晶体生长装置包括外坩埚、PBN坩埚、籽晶、PBN塞子，PBN坩埚置于外坩埚内，PBN坩埚包括自上而下的晶体生长部、放肩部、籽晶井，籽晶井下端封闭，晶体生长部、放肩部、籽晶井共同形成一个收容空间，在晶体生长过程中，籽晶位于籽晶井和放肩部所对应的收容空间内，而多晶料和覆盖剂均位于籽晶上方所对应的收容空间内，PBN塞子位于籽晶井内，且PBN塞子下端抵接籽晶井内底面，PBN塞子上端抵接籽晶下底面。本发明同时提出一种晶体生长方法。本晶体生长装置及方法可提高晶体生长过程中籽晶熔接质量，确保化学计量比，控制晶体生长过程中的杂质水平，最终以低成本实现高质量晶体生长。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
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