[发明专利]增强型光电探测器衬底的制备方法、其产物及增强型III-V光电探测器

摘要

本发明揭示了增强型光电探测器衬底的制备方法、其产物及增强型III‑V光电探测器，本方法利用硅（001）衬底材料的各向异性特点，在硅（001）衬底上形成特定周期的倒三角凹槽，并填充III‑V材料种子层，得到增反结构，可以有效的对正面透过探测器的光进行反射，使光再次通过器件的有源区，达到增强光吸收效率的目的，起到增强探测信号，提高信噪比的作用，本方案利用光栅对特定波长光波的调制作用以及硅基三五集成应用特点，有效克服了硅晶体直接与III‑V材料的晶格失配导致的反向畴边界问题，为硅（001）衬底与III‑V面阵器件的集成创造了有利条件，有利于改善器件的质量。