[发明专利]一种调控反铁磁薄膜材料的磁矩排列的方法有效
| 申请号： | 201911280695.2 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN111009365B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 冯春;徐秀兰;李玉坤;孟飞;于广华 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01F1/00 | 分类号： | H01F1/00;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种调控反铁磁薄膜材料的磁矩排列的方法，属于信息存储及传感技术领域。对钛镍铌TiNiNb形状记忆合金基片进行预拉伸处理、表面抛光以及表面的氩离子轰击处理；然后，在上述TiNiNb记忆合金基片上沉积钽Ta/镍铁NiFe/铁锰FeMn/钽Ta多层膜；沉积完毕后，在真空环境下并同时施加磁场时，对其进行热处理最后，冷却至室温即可。其原理是：通过温控TiNiNb基底的逆马氏体相变产生显著的晶格应变作用在多层膜上，通过这种应变可以控制NiFe/FeMn界面处的交换弹簧结构，从而引起FeMn的Néel矢量转动，并有效调控FeMn的磁矩排列。本发明通过简单的温度控制就能实现对交换弹簧结构的调节，进而实现对FeMn磁矩排列的有效调控，具有制备简单、控制方便、能耗低、效率高、成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调控 反铁磁 薄膜 材料 排列 方法 | ||
【主权项】：
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