[发明专利]包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201911274738.6 | 申请日： | 2017-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN110896063A | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | R·K·乔施;F·希勒;M·福格;O·亨贝尔;T·拉斯卡;M·米勒;R·罗思;C·沙菲尔;H-J·舒尔策;H·舒尔策;J·斯泰恩布伦纳;F·翁巴赫 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 崔卿虎 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 金属 粘附 阻挡 结构 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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