[发明专利]一种晶格失配的多结太阳能电池及其制作方法有效
| 申请号: | 201911269812.5 | 申请日: | 2019-12-11 | 
| 公开(公告)号: | CN111009584B | 公开(公告)日: | 2021-09-17 | 
| 发明(设计)人: | 吴真龙;张海林;张策;朱鸿根 | 申请(专利权)人: | 扬州乾照光电有限公司 | 
| 主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0687;H01L31/18 | 
| 代理公司: | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人: | 许书音 | 
| 地址: | 225000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 | 
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| 摘要: | 本申请提供了一种晶格失配的多结太阳能电池及其制作方法,其中该多结太阳能电池包括:衬底、位于衬底上方的第一子电池、第二子电池和第三子电池;位于第一子电池与第二子电池之间的第一隧穿结、变质缓冲层和分布式布拉格反射层;位于第二子电池与第三子电池之间的第二隧穿结;位于第三子电池上方的欧姆接触层;组分层的晶格常数在沿第一子电池指向第二子电池的方向上增加等于第一子电池的第一晶格常数。本申请通过组分层在与第一隧穿结连接处的第三晶格常数大于第一子电池的第一晶格常数,还可以有效减少缓冲层外延厚度,减少外延生长时间。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 晶格 失配 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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                    H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
                
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





