[发明专利]基于干涉增强结构的胶体量子点红外焦平面阵列及制备方法有效
| 申请号： | 201911269150.1 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN110943138B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 唐鑫;刘明政 | 申请（专利权）人： | 唐鑫 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0232;H01L31/09;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京开阳星知识产权代理有限公司 11710 | 代理人： | 安伟 |
| 地址： | 100037 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于干涉增强结构的胶体量子点红外焦平面阵列，包括：量子点像素层和干涉增强结构；量子点像素层包括：公共电极层、红外量子点薄膜层、半透反电极层；干涉增强结构包括：光学隔离层、反射电极层。本发明使用新型胶体量子点作为感光材料,具有灵敏度高、成本低的优点；通过加入干涉增强结构汇聚特定波长红外线，提高光响应；实现快速光响应，响应时间小于20纳秒；胶体量子点可大规模液相合成，极大降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 干涉 增强 结构 胶体 量子 红外 平面 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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