[发明专利]一种铁电极化调控的人工突触器件及其制备方法

摘要

本发明涉及了一种铁电极化调控的人工突触器件及其制备方法，其特点是衬底上依次制备二维半导体层、源/漏电极、铁电功能层和栅电极，组成铁电极化调控的人工突触结构，所述二维半导体为MoS2或WSe2过渡金属硫族化合物涂层；所述铁电功能层为聚偏氟乙烯基铁电聚合物薄膜；突触器件的制备包括：SiO2/Si层、过渡金属硫族化合物曾、背栅结构、聚偏氟乙烯层和金属顶栅电极的制备。本发明与现有技术相比具有超低功耗、寿命长等优点，这些特性使得该有机铁电晶体管突触非常有前景，可以促使大规模的神经结构网络模拟人类大脑，并启发人脑算法网络中的大规模并行性和低功耗操作。