[发明专利]一种高质量氧化镓薄膜及其同质外延生长方法

摘要

一种高质量氧化镓(Ga2O3)薄膜及其同质外延生长方法，属于半导体薄膜材料制备技术领域。依次由β‑Ga2O3单晶衬底、低温Ga2O3薄膜层、温度渐变Ga2O3薄膜层和高温Ga2O3薄膜层组成。各Ga2O3薄膜层均由高温MOCVD工艺外延生长得到。低温Ga2O3薄膜层以β‑Ga2O3单晶为衬底，避免了衬底和薄膜的晶格失配，同时插入温度渐变Ga2O3薄膜层能够降低单晶衬底中缺陷对薄膜的影响，并抑制薄膜外延生长过程中缺陷的产生，进而有效提高薄膜晶体质量。本发明解决了高质量Ga2O3薄膜材料的外延生长问题，克服了目前Ga2O3异质与同质外延生长晶体质量差，影响Ga2O3基功率器件性能的问题，为今后Ga2O3基功率器件的制备打下坚实的基础。