[发明专利]一种红外二元光学器件及电磁屏蔽网栅制备方法有效
| 申请号： | 201911262179.7 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN111025446B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 刘永强;金柯;王慧娜;杨崇民;韩俊;杨海成;王颖辉;董莹;刘青龙;刘新武 | 申请（专利权）人： | 西安应用光学研究所 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;H05K9/00 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 陈星 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提出一种红外二元光学器件及电磁屏蔽网栅制备方法，利用透明导电氧化物材料在不同加热温度下电阻率不同的现象，采用高能粒子束直写技术按照设计图案加热薄膜特定位置制备非刻蚀二元红外衍射光学元件及电磁屏蔽网栅。该方法具有工艺简单，不需要刻蚀，成本低，光散射小及易制备器件结构深宽比要求大的器件的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外 二元 光学 器件 电磁 屏蔽 制备 方法 | ||
【主权项】：
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