[发明专利]沟槽栅结构及沟槽型场效应晶体管结构的制备方法有效
| 申请号： | 201911260880.5 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112951715B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 杨龙康;黄文康 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟槽栅结构及沟槽型场效应晶体管结构的制备方法，沟槽栅结构的制备包括：提供半导体基底，形成第一介质材料层，形成栅极材料层，刻蚀形成器件栅极，形成第二介质材料层，形成侧壁外延材料层。通过上述方案，本发明先完成器件栅极以及栅介质层的制备，后形成侧壁外延层，也即后形成用于制备器件栅极的沟槽，相对于先刻蚀形成栅极沟槽，再在栅极沟槽中填充形成器件栅极的方案，解决了栅极沟槽刻蚀的问题，特别是在AR比较大的情况下沟槽的刻蚀，同时，也解决了器件栅极填充的缺陷，解决了填充过程中容易出现提前封口，填充效果不好等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 结构 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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