[发明专利]静电保护电路有效
| 申请号： | 201911256096.7 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN111129002B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 苏庆 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种静电保护电路，包括：寄生可控硅和触发电路；第一PLDMOS包括体区，漂移区，栅极结构、第一源端P+扩散区、第一源端N+扩散区、第一漏端P+扩散区。第一PLDMOS中通过插入第一漏端N+扩散区形成寄生可控硅；栅极结构、第一源端N+扩散区和第一源端P+扩散区连接在一起形成阳极，阳极连接静电端；第一漏端N+扩散区接地形成阴极；第一漏端P+扩散区作为触发电极，第一漏端P+扩散区和第一漏端N+扩散区之间连接有第一电阻；触发电路连接在阳极和触发电极之间；当无静电时，触发电路关闭；当有静电时，触发电路导通并触发寄生可控硅导通。本发明能调节电路的可控硅的触发电压，从而能有效保护住被保护的内部高压器件。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 保护 电路 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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