[发明专利]可变电阻式存储器有效
| 申请号： | 201911255929.8 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN111627478B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 富田泰弘 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 赵平;周永君 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的可变电阻式存储器包含：阵列区域，以行列状配置多个存储单元，所述多个存储单元包含可变电阻器件与连接于所述可变电阻器件的存取用的晶体管；多个字线，连接于列方向的存储单元；区域位线，在阵列区域的行方向延伸；多个区域源极线，连接于行方向的存储单元的一侧的电极；共享位线，连接于区域位线，且连接于列方向的存储单元的另外一侧的电极；以及写入装置，将区域位线以及多个区域源极线预充电到第1电压，并对所选择的字线施加写入电压之后，通过让所选择的源极线放电，而对所选择的存储单元施加写入脉冲。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 存储器 | ||
【主权项】：
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