[发明专利]一种生长高表面质量超厚IGBT结构碳化硅外延材料的方法在审
| 申请号： | 201911248802.3 | 申请日： | 2019-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN111005068A | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 赵志飞;李赟;王翼;周平;李忠辉 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B25/16;C30B29/36;H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 孙昱 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种生长高表面质量超厚IGBT结构碳化硅外延材料的方法。该方法首先生长高掺p型外延层，而后进行化学机械抛光（CMP）处理表面，再进行原位刻蚀进一步处理损伤层，然后生长超厚n型外延层。可在生长超厚n型外延层过程中，重复抛光、原位刻蚀和外延步骤一次或更多次，最终实现高表面质量的超厚IGBT结构外延生长。本发明方法可以解决生长100微米甚至200微米以上的IGBT结构外延材料的表面台阶聚束问题，大力推进SiC IGBT器件走向实际应用，具有较高的推广价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 表面 质量 igbt 结构 碳化硅 外延 材料 方法 | ||
【主权项】：
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