[发明专利]屏蔽栅场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201911243513.4 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN110896053B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 宋金星 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种屏蔽栅场效应晶体管及其形成方法。其中，在制备屏蔽电极时，使得位于元胞区中的第一屏蔽电极和位于源极连接区中的第二屏蔽电极的高度均降低，从而在制备隔离层时，即可以利用隔离层的保护，而避免第一介质层中包覆第二屏蔽电极的部分横向暴露出，进而可以防止第一介质层中包覆第二屏蔽电极的部分被侧向侵蚀的问题，如此一来，即可以有效解决源极连接区中的第二屏蔽电极与栅电极出现短接的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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