[发明专利]一种声发射信号检测的压电传感器及压电薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201911234324.0 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN111044618B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 夏卫民;惠媛媛;邢俊红;孙倩倩 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | G01N29/14 | 分类号： | G01N29/14;G01N29/24;G01H11/08;C09D127/16 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 曾庆喜 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种声发射信号检测的压电传感器，研究不同VDF/TrFE比例的P(VDF‑TrFE)和单向拉伸的纯PVDF薄膜的声发射传感器接收性能，进一步研究了声发射传感器的信号强度对TrFE含量的依赖性，本发明还提供了一种声发射信号检测的压电传感器中压电薄膜的制备方法，研究五组P(VDF‑TrFE)膜之间的声发射传感器接收性能的差异，本发明的声发射信号检测的P(VDF‑TrFE)柔性压电传感器发射性能好，发射灵敏度高，压电传感器根据力学产生振动机械波转换为电力的能力好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 声发 信号 检测 压电 传感器 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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