[发明专利]基于光热弱吸收测试评价单晶硅强光元件综合性能方法有效
| 申请号： | 201911234180.9 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN110887844B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 田野;石峰;宋辞;钟曜宇;周港 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95;G01R19/00;G01R19/04 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 谭武艺 |
| 地址： | 410073 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于光热弱吸收测试评价单晶硅强光元件综合性能方法，本发明方法包括对测试样件进行光热弱吸收测试：根据样件尺寸将整个样件划分为不同区域，测量不同区域内的电流幅值；获取整个表面的弱吸收信号，剔除粗大误差后计算整个表面的弱吸收信号的平均值和方差；生成疵病所致吸收强区分布图，将所有弱吸收信号的平均值和方差、弱吸收信号的电流幅值、疵病所致吸收强区分布图作为单晶硅强光元件综合性能评价结果输出。本发明能够克服现有单晶硅强光元件综合性能测试技术的不足，将光热弱吸收技术作为测试方法，测试成本低、制样要求低，实现分辨率高、精度高、抗干扰能力强的单晶硅强光元件综合性能测试。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 光热 吸收 测试 评价 单晶硅 强光 元件 综合 性能 方法 | ||
【主权项】：
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