[发明专利]环绕式栅极组件及其制造方法在审
申请号: | 201911229440.3 | 申请日: | 2019-12-04 |
公开(公告)号: | CN112909090A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 何伟志;吴俊鹏 | 申请(专利权)人: | 吴俊鹏;陈纪宇 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L21/336 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 董科 |
地址: | 中国台湾新竹市北*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种环绕式栅极组件,其特征在于,包括:衬底;栅极,为环绕结构,设置于衬底上方,栅极最外层为环绕式栅极金属层,环绕式栅极金属层内部设置有环绕式栅极介电层,环绕式栅极介电层内包覆化合物半导体;介电层,设置于栅极金属层的两侧;其中,环绕式栅极金属层延伸覆盖介电层的上方。 | ||
搜索关键词: | 环绕 栅极 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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