[发明专利]存储器及其制作方法有效
| 申请号： | 201911226585.8 | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN112909039B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 戴强 | 申请（专利权）人： | 浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;H10N50/01;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 311300 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储器及其制作方法。其中，所述存储器包括存储单元、有源区、栅极、互联金属层和浅沟道隔离区；所述浅沟道隔离区与有源区水平间隔排列；栅极设置在有源区上方，栅极与有源区相互垂直；每个有源区包括多个源极和多个漏极，每一个栅极与多个有源区形成多个共栅的晶体管，同一有源区中的相邻晶体管共用源极或漏极；互联金属层位于源极上方以及相邻的栅极之间，以将共栅的晶体管的源极互联。本发明通过互联金属层实现共联栅极的源极互联，替换掉了用于互联源极的通孔，从而规避了相关设计规则的束缚，并降低了存储器的设计尺寸，进而提高了存储器的密度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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