[发明专利]一种激光加热制备外延石墨烯的方法有效
| 申请号： | 201911222939.1 | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN111017914B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 涂溶;章嵩;张联盟 | 申请（专利权）人： | 气相科技（武汉）有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/188 | 分类号： | C01B32/188 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 崔友明;官群 |
| 地址： | 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区理*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种激光加热制备外延石墨烯的方法，具体步骤如下：1)将SiC基板放入激光化学气相沉积设备的沉积腔体，向腔体内通入高纯Ar气，调节腔体内气体压强为1000～10000Pa；2)开启激光照射SiC基板，使基板表面温度以400～600℃/s的速率升温至1500～2000℃，继续照射1～5min；3)调节激光功率，使基板表面温度以100～200℃/s的速率降温至600℃，自然冷却至室温，在SiC基板表面得到外延石墨烯。本发明方法能够快速制备大生长面积外延石墨烯，制备的外延石墨烯具有高导电性，层数可控，晶体质量高的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 加热 制备 外延 石墨 方法 | ||
【主权项】：
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