[发明专利]下电极及化学气相沉积装置有效
| 申请号: | 201911222447.2 | 申请日: | 2019-12-03 |
| 公开(公告)号: | CN111041452B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
| 发明(设计)人: | 兰天宇 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种下电极及化学气相沉积装置,该下电极包括基座、设置于所述基座上的承载板以及镀在所述承载板表面的阳极膜;其中,所述阳极膜包括第一区域以及包围所述第一区域设置的第二区域,所述第一区域的表面粗糙度为第一粗糙度,所述第二区域的表面粗糙度为第二粗糙度,所述第一粗糙度大于所述第二粗糙度,所述承载板用于承载玻璃基板,且所述玻璃基板的四角位于所述第二区域。本发明通过改变下电极阳极膜内第一区域和第二区域的形状,使得化学气相沉积制程中玻璃基板的四角位于所述第二区域,从而减少了玻璃基板下表面边缘因与下电极挤压而产生的刮伤,提高了OLED产品的生产良率。 | ||
| 搜索关键词: | 电极 化学 沉积 装置 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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