[发明专利]下电极及化学气相沉积装置有效

专利信息
申请号: 201911222447.2 申请日: 2019-12-03
公开(公告)号: CN111041452B 公开(公告)日: 2022-06-10
发明(设计)人: 兰天宇 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;H01L51/56
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 李新干
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种下电极及化学气相沉积装置,该下电极包括基座、设置于所述基座上的承载板以及镀在所述承载板表面的阳极膜;其中,所述阳极膜包括第一区域以及包围所述第一区域设置的第二区域,所述第一区域的表面粗糙度为第一粗糙度,所述第二区域的表面粗糙度为第二粗糙度,所述第一粗糙度大于所述第二粗糙度,所述承载板用于承载玻璃基板,且所述玻璃基板的四角位于所述第二区域。本发明通过改变下电极阳极膜内第一区域和第二区域的形状,使得化学气相沉积制程中玻璃基板的四角位于所述第二区域,从而减少了玻璃基板下表面边缘因与下电极挤压而产生的刮伤,提高了OLED产品的生产良率。
搜索关键词: 电极 化学 沉积 装置
【主权项】:
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