[发明专利]热电器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201911222415.2 | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN110993780B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 亨利·H·阿达姆松;熊文娟;王桂磊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H10N10/01 | 分类号： | H10N10/01;H10N10/17;H10N10/855 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种热电器件的制备方法，包括以下步骤：提供第一衬底和第二衬底；在第一衬底上形成氧化层，以及在第二衬底上形成纳米线材料层；键合氧化层和纳米线材料层；并去除第二衬底；刻蚀纳米线材料层，形成若干纳米线；淀积高应力材料层，以提高若干纳米线内载流子的迁移率；在若干纳米线的两端形成接触电极；并在接触电极的外侧形成加热电极；退火处理。本发明提供的热电器件的制备方法，在形成若干纳米线后，在已形成的结构上淀积了一层高应力材料层，高应力材料层的存在可以在沟道区中引起应变，提高纳米线内载流子的迁移率，改善电导率，从而提高纳米线的热电品质因数ZT，增加热电转换效率。同时，本发明还提供了一种热电器件。 | ||
| 搜索关键词： | 热电器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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