[发明专利]2-取代芴化合物、含该化合物的空穴传输材料及空穴传输层中含该化合物的有机电子器件在审
| 申请号： | 201911216209.0 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN111253264A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 西尾太一;吉广大佑;佐藤辉幸;岩井新;新内聡畅 | 申请（专利权）人： | 关东化学株式会社 |
| 主分类号： | C07C211/54 | 分类号： | C07C211/54;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 高一平;徐迅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明将可用作空穴的注入或传输性能、电子阻挡性能、光稳定性、电气稳定性和热稳定性良好的空穴传输材料的化合物的提供以及提供含有上述化合物的空穴传输材料及包括具备含上述化合物的空穴传输层的有机EL元件或有机光电转换元件的有机电子器件、特别是包括长寿命且发光效率高的有机EL元件的有机电子器件作为课题。一种以通式(1‑1)表示的化合物；式中，R1～R6和Ara～Arc如说明书中所定义。 |
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| 搜索关键词： | 取代 化合物 空穴 传输 材料 层中含 有机 电子器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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