[发明专利]非对称异型上、下管有源钳位反激变换器在审

专利信息
申请号: 201911215419.8 申请日: 2019-12-02
公开(公告)号: CN110912411A 公开(公告)日: 2020-03-24
发明(设计)人: 刘业瑞 申请(专利权)人: 刘业瑞
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 200333 上海市普陀*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 本发明专利是一种非对称异型上、下管有源钳位反激变换器,上管使用超结功率MOSFET管,下管使用GaN功率管。下管使用GaN功率管,充分发挥开关速度快,关断损耗小的特点;上管使用超结功率MOSFET管,减低成本。同时,由于上管使用更高导通电阻的器件,其寄生电容更小,从而减小原边电流下跌凹坑所产生的损耗。与目前市场上、下管或者同时采用超结功率MOSFET管,或者同时采用氮化镓GaN功率管相比较,本发明专利的整个装置既能充分发挥两种不同器件的特性,保障设备性能优化,又可降低成本。
搜索关键词: 对称 异型 有源 钳位反 激变
【主权项】:
暂无信息
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