[发明专利]非对称异型上、下管有源钳位反激变换器在审
申请号: | 201911215419.8 | 申请日: | 2019-12-02 |
公开(公告)号: | CN110912411A | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 刘业瑞 | 申请(专利权)人: | 刘业瑞 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200333 上海市普陀*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明专利是一种非对称异型上、下管有源钳位反激变换器,上管使用超结功率MOSFET管,下管使用GaN功率管。下管使用GaN功率管,充分发挥开关速度快,关断损耗小的特点;上管使用超结功率MOSFET管,减低成本。同时,由于上管使用更高导通电阻的器件,其寄生电容更小,从而减小原边电流下跌凹坑所产生的损耗。与目前市场上、下管或者同时采用超结功率MOSFET管,或者同时采用氮化镓GaN功率管相比较,本发明专利的整个装置既能充分发挥两种不同器件的特性,保障设备性能优化,又可降低成本。 | ||
搜索关键词: | 对称 异型 有源 钳位反 激变 | ||
【主权项】:
暂无信息
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