[发明专利]用于制造具有低暗电流的基于锗的二极管阵列的方法在审
| 申请号： | 201911213243.2 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN111261748A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 让-路易斯·乌夫里耶-比费;阿卜杜卡迪尔·阿利亚内;让-米歇尔·哈特曼;朱莉·维迪耶 | 申请（专利权）人： | 原子能和替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/103 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 邰凤珠;刘继富 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造包括基于锗的光电二极管阵列的光电器件(1)的方法，其包括以下步骤：制造由锗制成的半导体层(11、12)的堆叠；制造沟槽(13)；沉积由硅制成的钝化本征半导体层(30)；退火，针对每个光电二极管(2)确保钝化半导体层(30)的硅和半导体部分(20)的锗的互扩散，由此形成半导体部分(20)的由硅锗制成的外围区(24)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 具有 电流 基于 二极管 阵列 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
