[发明专利]二维可扩展超导量子比特结构及其腔模控制方法有效
| 申请号： | 201911210369.4 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111081768B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 梁福田;邓辉;龚明;吴玉林;彭承志;朱晓波;潘建伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种二维可扩展超导量子比特结构及其腔模控制方法，其中二维可扩展超导量子比特结构，包括：超导量子比特芯片，所述超导量子比特芯片中包含二维分布且可扩展的多个量子比特；每个所述量子比特的电容部分具有二维分布的至少五个臂，每一量子比特中的所述至少五个臂中的两个臂分别用于与读取耦合线路连接、与控制线路连接，其余至少三个臂与相邻的量子比特通过耦合腔进行耦合。该结构便于进行二维扩展，并且适用于现有的倒装焊工艺或硅通孔技术与信号扇出板进行连接；在不具备或摆脱倒装焊和硅通孔工艺时，通过在所述超导量子比特芯片中非量子比特线路的位置制作多个孔，基于该孔引线键合至封装盒体或电路板，能够有效减少信号串扰。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 扩展 超导 量子 比特 结构 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
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