[发明专利]一种半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201911205702.2 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN112885803A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 庄凌艺 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 阚梓瑄;孙宝海 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括半导体基板、导电层、凸块以及金属间化合物；导电层设于所述半导体基板上；凸块设于所述导电层上；金属间化合物设于所述凸块上，且所述金属间化合物为凹凸状。本发明通过将金属间化合物设计为凹凸状，使其能够阻挡裂痕向四周延伸，可最小化或防止凸块和焊料层之间的裂痕的延伸以及电连接故障，有效提高良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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