[发明专利]具有有机磁阻效应的分子电子器件的制备方法有效
| 申请号： | 201911204051.5 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN112885959B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 王冬;丁帅帅;于曦;胡文平 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L51/00 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 李蕊 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有有机磁阻效应的分子电子器件的制备方法，包括以下步骤：将光刻胶溶液旋涂在硅片上，在硅片上获得光刻胶薄膜，曝光，显影，于800～1200℃保持60～100min，得到第一碳层；在硝基苯四氟硼酸重氮盐溶液中加入四氟硼四丁基铵作为电解质，得到第二溶液，将第一碳层作为工作电极，将工作电极放入第二溶液中采用循环伏安法进行电化学沉积，在第一碳层上形成有机分子层；在有机分子层上贴上第二掩膜版，蒸镀碳，形成第二碳层；在第二碳层蒸镀金，在第二碳层上形成金层，得到分子电子器件。本发明分子电子器件的碳分子结具有有机磁阻现象，在施加磁场后，分子电子器件具有相对于正负磁场高度对称的正磁电阻特性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 有机 磁阻 效应 分子 电子器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学，未经天津大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911204051.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
