[发明专利]一种具有超高三维磁场探测灵敏度的磁传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 201911201589.0 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111312892B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 黄火林;张卉;马凯鸣 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/14;H01L43/10;H01L27/22 |
| 代理公司： | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 | 代理人： | 马庆朝 |
| 地址： | 116023 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种具有超高三维磁场探测灵敏度的磁传感器及其制作方法,属于半导体传感器领域。技术方案：在衬底上外延生长石墨烯层，所述衬底下表面设有用于感测平行于器件表面磁场的垂直型霍尔传感器，所述石墨烯层上表面设有用于感测垂直于器件表面磁场的“十”字水平型霍尔传感器，有益效果是:本发明所述的具有超高三维磁场探测灵敏度的磁传感器及其制作方法既可以满足X、Y、Z三维磁场测量，又具有超高的磁场探测灵敏度，同时可以减小传感器的体积，还可以与集成电路工艺兼容进行大规模生产，具有良好的应用前景。本方案制作的高灵敏度霍尔传感器未来有望应用在各种微型可穿戴、军事、医学、航空航天等领域中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 超高 三维 磁场 探测 灵敏度 传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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