[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201911200857.7 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111261661B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 江宏礼;陈佑昇;郑兆钦;陈自强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00;H10B63/10;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：逻辑电路，包括设置在衬底上方的晶体管；多层，每个层包括分别设置在逻辑电路上方的金属布线层和层间介电层；以及存储器阵列。金属布线的多层以更靠近衬底的顺序包括第一层、第二层、第三层和第四层，并且存储器阵列包括设置在第三层中的下部多层。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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