[发明专利]用于平面超导磁共振系统的屏蔽梯度线圈设计方法及其梯度线圈有效
| 申请号： | 201911199616.5 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN110780245B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 王耀辉;王秋良 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | G01R33/385 | 分类号： | G01R33/385 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于平面超导磁共振系统的屏蔽梯度线圈设计方法及其梯度线圈，根据平面超导磁共振系统中梯度线圈所在位置周围金属导体的外轮廓来确定屏蔽区域，进行杂散场分区屏蔽。屏蔽区域不同分区处杂散场的约束值根据屏蔽要求调整。应用所述屏蔽梯度线圈设计方法设计的横向梯度线圈和纵向梯度线圈的主线圈包含反向线圈，反向线圈产生的磁场抵消了其余线圈的漏磁场，达到了降低梯度线圈杂散场的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 平面 超导 磁共振 系统 屏蔽 梯度 线圈 设计 方法 及其 | ||
【主权项】：
1.一种用于平面超导磁共振系统的高屏蔽梯度线圈设计方法，其特征在于：所述的高屏蔽梯度线圈设计方法步骤如下：/n第一步，确定磁体上贴近梯度线圈的导体结构外轮廓，即屏蔽区域；/n第二步，计算非屏蔽梯度线圈在所述屏蔽区域内的杂散场分布；/n第三步，根据第二步得到的非屏蔽梯度线圈的杂散场分布对屏蔽区域进行分区，并确定每个分区处的杂散场强度约束，即对于屏蔽区域S
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电工研究所，未经中国科学院电工研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911199616.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
