[发明专利]一种微系统模组中硅空腔下TSV地互联孔结构的制作方法在审
| 申请号： | 201911197944.1 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111099554A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 郭西;郁发新;王立平;张兵;周琪;李里;康宏毅;宋启河;徐思凯;冯光建 | 申请（专利权）人： | 杭州臻镭微波技术有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人： | 董世博 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种微系统模组中硅空腔下TSV地互联孔结构的制作方法，具体包括如下步骤：101)初步刻蚀步骤、102)刻蚀深硅空腔步骤、103)加深刻蚀步骤、104)成型步骤；本发明提供了可以有力的提高结构精度，提高生产效率，减小工艺难度的一种微系统模组中硅空腔下TSV地互联孔结构的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 系统 模组 空腔 tsv 互联孔 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州臻镭微波技术有限公司，未经杭州臻镭微波技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911197944.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种液冷多芯铜电缆
- 下一篇：一种弧块类零件拟合分析方法
