[发明专利]用于抑制准光腔简并高次模的样品台及测试方法和应用有效

专利信息
申请号: 201911194800.0 申请日: 2019-11-28
公开(公告)号: CN111077377B 公开(公告)日: 2022-03-08
发明(设计)人: 龙嘉威;余承勇;李恩;涂一航;李亚峰;高冲;高勇;张云鹏;郑虎 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G01R27/26 分类号: G01R27/26
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 敖欢
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供了一种用于抑制准光腔简并高次模的样品台及其测试方法和应用,包括介质基板,介质基板中心设有圆形金属覆层,金属覆层上刻有微波匹配电路结构,微波匹配电路结构为圆形金属覆层圆心两侧对称设置的两条平行于TEM00q模式电场方向的缝隙,金属覆层厚度大于工作频点电磁波的趋肤深度,介质基板材料的损耗角正切值高于1e‑4,本发明能够在保证不影响TEM00p模的前提下,使TEM00p模附近的非TEM00p模造成不匹配而无法激励出谐振现象,能够将其能量通过高损耗基板将其消耗掉,进而能够将频谱对应TEM00p模出现的双峰改进为对称的单峰,在使用准光腔法测试复介电常数时,TEM00p模对应Q值的测试更为真实,提高准光腔法测待测材料损耗的精度。
搜索关键词: 用于 抑制 准光腔简 高次模 样品 测试 方法 应用
【主权项】:
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