[发明专利]一种生长高质量均匀硒化锗薄膜的装置及方法有效
| 申请号： | 201911194618.5 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN112853270B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 姜鹏;袁敏;包信和 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C14/06 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 毛薇;李馨 |
| 地址： | 116000 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种生长高质量均匀硒化锗薄膜的装置及方法：本发明在管式石英炉中，利用物理气相输运方法，通过垂直放置衬底及调节生长温度(400‑600℃)，使用GeSe作为生长源，实现在多种衬底上生长均匀硒化锗薄膜。所制备的材料成分均一，膜厚均匀性优于10％。本发明所述方法操作简单，成本低廉。所制备硒化锗薄膜在可见光区域的吸收光谱与薄膜厚度密切相关，可用于制备超薄光电子器件的硒化锗涂层、玻璃薄膜以及热电薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 质量 均匀 硒化锗 薄膜 装置 方法 | ||
【主权项】：
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