[发明专利]一种铈掺杂的氧化铪基铁电薄膜及电容结构制备方法在审
| 申请号： | 201911194510.6 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN111029244A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 郑帅至;刘兆通;刘恒;廖敏;周益春 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/11502 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 郑久兴 |
| 地址： | 411100 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铈掺杂的氧化铪基铁电薄膜及电容结构制备方法，该薄膜制备方法包括获取前驱体溶液，所述前驱体溶液为乙酰丙酮铪、乙酸、硝酸铈六水化合物和乙酰丙酮的混合液；其中，铈与铪的摩尔比为X:(1‑X)，X的取值范围为0.05～0.2；将衬底上旋涂所述前驱体溶液，并干燥热解以在所述衬底上形成预设厚度的非晶薄膜；将带有预设厚度的非晶薄膜的衬底快速热处理。该方法相比于现有技术工艺简单，制备成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化 铪基铁电 薄膜 电容 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
