[发明专利]一种提纯二氧化锗的方法在审
| 申请号： | 201911193936.X | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN110697761A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 刘珍宝 | 申请（专利权）人： | 衡阳旭光锌锗科技有限公司 |
| 主分类号： | C01G17/02 | 分类号： | C01G17/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 421000 湖南省衡*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提纯二氧化锗的方法，包括如下步骤(1)将普通二氧化锗粉与水接触以初步除杂，干燥得到初级二氧化锗粉，所述普通二氧化锗粉与水接触的速度为8.5‑9.5g/min；(2)将二氧化锗粉体在真空条件下快速熔化，得到二氧化锗液；(3)将二氧化锗液冷却为二氧化锗块；(4)缓慢加热使二氧化锗块再熔化，进行第一段恒温处置，然后缓慢降温至750‑850℃，进行第二段恒温处置，然后缓慢降温至450‑550℃，进行第三段恒温处置，然后缓慢降温至室温，得到高纯二氧化锗。本发明规避了现有方法，公开了一种新的、简便的提纯方法，二氧化锗纯度比较高。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化锗 缓慢降温 水接触 提纯 缓慢加热 快速熔化 真空条件 液冷却 再熔化 除杂 粉体 高纯 | ||
【主权项】：
1.一种提纯二氧化锗的方法，其特征是，包括如下步骤：/n(1)将普通二氧化锗粉与超纯水接触以初步除杂，干燥得到初级二氧化锗粉，所述普通二氧化锗粉与水接触的速度为8.5-9.5g/min；/n(2)将二氧化锗粉体在真空条件下快速熔化，得到二氧化锗液；/n(3)将二氧化锗液冷却为二氧化锗块；/n(4)缓慢加热使二氧化锗块再熔化，进行第一段恒温处置，然后缓慢降温至750-850℃，进行第二段恒温处置，然后缓慢降温至450-550℃，进行第三段恒温处置，然后缓慢降温至室温，得到高纯二氧化锗。/n
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