[发明专利]具有微桥结构的半导体结构及其形成方法、微结构传感器有效
| 申请号： | 201911189546.5 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN111024244B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 钱良山;范延军;姜利军 | 申请（专利权）人： | 浙江大立科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/20 | 分类号： | G01J5/20;B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 310053 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有微桥结构的半导体结构及其形成方法、一种微结构传感器，所述半导体结构包括：基底，所述基底表面内形成有金属互连结构；导电柱，位于所述基底表面，与所述金属互连结构电连接；第一微桥结构，包括第一悬臂桥墩和第一桥面，所述第一悬臂桥墩底部下沉，固定于所述导电柱表面，与所述导电柱电连接，所述第一悬臂桥墩顶部支撑所述第一桥面悬空于所述基底上方，所述第一桥面包括敏感层，所述敏感层与所述第一悬臂桥墩之间电连接。上述半导体结构的微桥结构稳定性提高且灵敏度提高。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 半导体 及其 形成 方法 微结构 传感器 | ||
【主权项】：
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