[发明专利]一种高精度多台阶衍射光学图案的制作方法在审
| 申请号： | 201911180349.7 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN110989290A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 张鹏;丁鼎;魏晓群;丁晗;谢丹艳;赵越 | 申请（专利权）人： | 无锡中微掩模电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/76 | 分类号： | G03F1/76;G03F1/80 |
| 代理公司： | 连云港联创专利代理事务所(特殊普通合伙) 32330 | 代理人： | 杜丽丽 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明利用半导体硅片加工工艺的思路，通过多层套刻方法完成高精度多台阶衍射光学元件表面浮雕结构图案的制作，突破了传统加工难题，能够实现微米级台阶尺寸纳米级台阶深度的衍射图案制作，可提升至纳米级及更多层的台阶制作，大幅提升衍射效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高精度 台阶 衍射 光学 图案 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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