[发明专利]工艺腔室以及半导体加工设备有效
| 申请号： | 201911178813.9 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN110854047B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 杨帅;杨慧萍 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;姜春咸 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种工艺腔室，涉及半导体工艺技术领域，所述腔室包括：腔体以及设置在所述腔体内的进气机构；所述腔体的侧壁的内表面为圆周面，所述腔体底部设置有排气口，所述进气机构设置在所述腔体的顶部；其中，所述进气机构包括：多个第一输气管路，且所述第一输气管路均与所述进气机构连通；多个所述第一输气管路输出的气流形成围绕所述腔体的轴线的环形气流。本发明还提供了一种半导体加工设备。采用本发明的工艺腔室，其基片表面上各处的工艺气体浓度一致，提高了基片表面上各个区域的成膜均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 以及 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
