[发明专利]存储器、存储器的衬底结构及其制备方法

摘要

本公开提供一种存储器、存储器的衬底结构及存储器的衬底结构的制备方法。该制备方法包括：提供衬底；在衬底上形成包括多个间隔分布的条状图形的第一掩膜层，各条状图形均沿着同一方向延伸；形成覆盖第一掩膜层的第一介质层；在第一介质层上形成多个间隔分布的牺牲部，各牺牲部均覆盖于条状图形；向牺牲部之间的间隙填充第二介质；去除各牺牲部，并保留间隙内的第二介质，以形成第二掩膜层，第二掩膜层对应于各牺牲部的区域均形成暴露条状图形的通孔图形；以第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜，逐层刻蚀至衬底内，以形成多个阵列排布的有源区。本公开能够方便地形成多个呈阵列排布的有源区。