[发明专利]一种薄膜太阳能电池及其制作方法在审
申请号: | 201911175087.5 | 申请日: | 2019-11-26 |
公开(公告)号: | CN110854239A | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 胡海平;张梦菲;胡安红;周洁;吴选之 | 申请(专利权)人: | 龙焱能源科技(杭州)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 田媛媛 |
地址: | 310018 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本申请公开了薄膜太阳能电池制作方法,包括在衬底的第一表面形成前电极层;在前电极层背离衬底的表面形成窗口层;在窗口层背离前电极层的表面形成吸收层;在吸收层背离窗口层的表面形成氮化钛层;在氮化钛层背离吸收层的表面形成背电极层,得到待处理薄膜太阳能电池;在预设温度下,对待处理薄膜太阳能电池进行热处理,得到薄膜太阳能电池;其中,第一表面为衬底的上表面或者下表面。该方法形成层叠的衬底、前电极层、窗口层、吸收层、氮化钛层和背电极层后进行热处理,使电池产生形变,满足对形状的需求,且高温下氮化钛层性能稳定,可阻挡背电极层中的金属或杂质向吸收层扩散,提高电池的效率。本申请还提供具有上述优点的薄膜太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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