[发明专利]一种高光谱图像传感器单片集成方法、传感器及成像设备有效
| 申请号： | 201911174534.5 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN110867461B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 高建峰;白国斌;李俊杰;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高光谱图像传感器的单片集成方法，包括：在CMOS图像传感器晶圆的感光区域表面上形成底反射层；采用多次薄膜沉积工艺和多次光刻、刻蚀工艺的方法在底反射层上形成多个台阶结构，构成透明空腔层；在透明空腔层上沉积薄膜形成顶反射层。本发明提供的高光谱图像传感器的单片集成方法，通过控制薄膜沉积工艺条件，实现对透明空腔层各个台阶的厚度的精准控制，优化了现有技术采用刻蚀工艺导致的不均匀性累积的问题。本发明还提供一种高光谱图像传感器和含有高光谱图像传感器的成像设备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光谱 图像传感器 单片 集成 方法 传感器 成像 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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