[发明专利]一种碳化硅单晶的生长方法有效
| 申请号： | 201911174051.5 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN110747504B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 陈小龙;张泽盛;王文军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B15/20;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种碳化硅单晶的生长方法，包括如下步骤：在晶体生长过程中，将碳化硅籽晶与石墨坩埚中的熔融Si合金溶液上表面接触并不断提拉；同时，从石墨坩埚中溶解C形成富C溶液，从而形成稳定的C的供应，以实现碳化硅单晶的液相外延生长；其中，所述熔融Si合金溶液为Si、Cr、Al、X的熔融溶液，其中X为Yb、Pr或者Ce；所述石墨坩埚为底部配有石墨旋桨且顶部内侧镀有光滑的钨薄层的石墨坩埚。本发明的方法简单，易于操作，且生长过程的温度低。较低的生长温度也对应于更加经济的能源消耗。同时，通过本发明的方法制得的碳化硅单晶表面光亮、无附着物、晶体质量高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅单晶的生长方法，包括如下步骤：/n在晶体生长过程中，将碳化硅籽晶与石墨坩埚中的熔融Si合金溶液上表面接触并不断提拉；同时，从石墨坩埚中溶解C形成富C溶液，从而形成稳定的C的供应，以实现碳化硅单晶的液相外延生长；其中，/n所述熔融Si合金溶液为Si、Cr、Al、X的熔融溶液，其中，X为Yb、Pr或者Ce；/n所述石墨坩埚为底部配有石墨旋桨且顶部内侧镀有光滑的钨薄层的石墨坩埚。/n
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