[发明专利]具有集成的MOS选通的二极管或肖特基二极管的半导体器件

摘要

公开了具有集成的MOS选通的二极管或肖特基二极管的半导体器件。半导体器件包括半导体衬底以及多个晶体管单元。每个晶体管单元包括：栅极沟槽结构，形成在半导体衬底中并且围绕晶体管单元；针形场电极沟槽结构，形成在半导体衬底中并且向内与栅极沟槽结构分隔开；第一导电类型的源极区，形成在相邻于栅极沟槽结构的半导体衬底中；与第一导电类型相反的第二导电类型的体区，形成在源极区下方的半导体衬底中；以及第一导电类型的漂移区带，形成在体区下方的半导体衬底中。半导体器件进一步包括多个MOS选通的二极管或肖特基二极管，每个二极管形成在四个相邻的晶体管单元的交叉处的半导体衬底中。还描述了对应的制造方法。