[发明专利]一种扩展CMOS图像传感器像素满阱容量的电路有效
| 申请号： | 201911171858.3 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN110971844B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 史再峰;王子菊;徐江涛;高静;程明 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/3745 |
| 代理公司： | 天津盛理知识产权代理有限公司 12209 | 代理人： | 王利文 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种扩展CMOS图像传感器像素满阱容量的电路，其技术特点是：第二晶体管的源极与第三晶体管的漏极相连接，第三晶体管的源极连接模拟列输出总线上；第二晶体管的栅极、第五晶体管的源极及光电二极管的负极共同连接到比较器的一输入端，比较器的输出端连接第一晶体管的漏极，第一晶体管的源极连接第一反相器，第一反相器的输出端与第二反相器及与非门的一个输入端相连接，该与非门的输出端与第五晶体管的栅极相连接；第二反相器的输出端连接计数器，计数器的输出端连接到三态控制开关上，该三态控制开关的输出端连接到数字列输出总线上。本发明通过对满阱电荷进行多次转移计数复位，实现CMOS图像传感器单像素内满阱容量的超大扩展功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 扩展 cmos 图像传感器 像素 容量 电路 | ||
【主权项】：
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