[发明专利]基于阴阳极环形嵌套的大功率GaN准垂直肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201911169340.6 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN110993684A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 赵胜雷;刘俊伟;张进成;陈大正;朱家铎;朱卫东;刘志宏;许晟瑞;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;黎汉华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了基于阴阳极环形嵌套的大功率GaN准垂直肖特基二极管及其制备方法，主要解决目前GaN准垂直肖特基二极管输出功率无法满足更高功率需求的问题。其自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)和n+型GaN层(4)，n+型GaN层(4)的上部设有n‑型GaN层(5)和阴极(6)，n‑型GaN层(5)的上部设有阳极(7)，该阴极和阳极采用环形嵌套结构，即阳极是以实心圆为中心，外部分布多个开口圆环的同心结构；阴极是分布在阳极环之间的多个开口圆环，形成阳极环与阴极环的同心环形交替嵌套结构。本发明降低了电场的边缘效应，提高了GaN准垂直二极管输出功率密度，可用于限幅器、微波整流和功率开关电路。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 阴阳 环形 嵌套 大功率 gan 垂直 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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